与台积电（TSMC）和英特尔（Intel）一样，三星集团也是在美国建造新芯片制造厂的三家企业之一。Wccftech指出，三星目前正处于评估不同城市配套设施的选址阶段。此外，据韩国媒体报道，三星副董事长李在镕最早将于下周前往美国，敲定一座最终价值170亿美元的芯片制造厂。
德克萨斯州奥斯汀（来自三星官方网站）
据报道，三星将在德克萨斯州、亚利桑那州和纽约建立新的芯片制造厂。自今年3月以来，有关审议工作进展缓慢。
当时，三星向当局提交了一份新提案，为新建工厂提供税收优惠。但也正是在这份文件中，三星概述了纽约和亚利桑那州的加入。
如果成功建成，新工厂预计将采用先进的3nm半导体制造工艺。目前处于5nm领先地位的台积电也计划明年开始批量生产下一代3nm工艺。
（来自三星电子）
然而，三星和台积电并非走在同一条道路上，因为两家公司选择了不同的晶体管设计。TSMC坚持传统的FinFET，而三星计划在2018年采用与IBM联合开发的gaafet。
韩联社指出，李在镕预计最早将于下周访问美国，但三星尚未确认这位高管的行程。他因受贿入狱七个月，目前正在假释。
